Seminar Akademik Jurusan Fisika, 19 Februari 2009

19/Feb/2009

 

Hari, tanggal : Kamis, 19 Februari 2009
Waktu : 10.30 s.d 12.00
Tempat : Ruang D3-205
Pembicara : Prof. Dr. Bernard Y. Tumbelaka

 

Nano Sains pada Komponen Pasif Elektronika yang Hilang : MEMRISTOR (Memori Transistor)

Abstrak

Perkembangan nanosains, sains pada nanoskala telah membuktikan tentang keberadaan teknologi memristor yang dahulu hanya sebatas konsep teori matematis saja menjadi dapat dimodel matematis dan difisiskan oleh Grup Riset Stanley William, Lab Hewlett Packard, California, 2008. Dahulu, komponen pasif hanya terdiri atas tiga kategori saja: resistor sebagai penghambat aliran listrik, kapasitor sebagai penyimpan energi listrik dan induktor sebagai penghambat aliran arus listrik yang berubah serta dimungkinkan kombinasi ketiga komponen untuk membangun perangkat fungsional yang lebih rumit. Oleh Leon Chua, Univ California, Berkeley, 1971 dikemukakan tentang adanya komponen pasif elektronika keempat yang hilang, disebut: Memristor singkatan  dari “Memory resistor”. Teknologi rangkaian baru ini serupa  resistor, yang memiliki sifat unik, mampu meregister sesuai besar arus yang mengalir melalui dirinya. Pada prinsipnya, komponen ini tidak tergantikan, karena sifat fisisnya tidak dapat ditiru oleh kombinasi ketiga komponen dasar, demikian juga sifat fisisnya berbeda dari RAM yang telah digunakan pada berbagai perangkat dan komputer. Aplikasi penggunaan komponen ini dimasa depan adalah sempurna untuk menggantikan “Flash Memory”, lebih murah, lebih cepat dan ukuran lebih kecil, dimana akan dipasarkan pada tahun 2012 sebagai Flash dan pada tahun 2014-6 sebagai “hard drive”. Inovasi keilmuan memungkinkan buat pengembangan sistem  komputer, yang memiliki memori yang tidak pelupa, yang tidak perlu proses dinyalakan dari awal lagi (booted up), yang memakai daya jauh lebih sedikit dan yang berkorelasi dengan  informasi  serupa yang dimiliki pola memori otak manusia.

 

Kata Kunci: Nanosains, nanoskala, resistor, kapasitor, induktor, memristor, memresistansi.